Infineon Technologies - IRFS38N20DTRLP

KEY Part #: K6402964

IRFS38N20DTRLP Цены (доллары США) [50826шт сток]

  • 1 pcs$0.76930
  • 800 pcs$0.69759

номер части:
IRFS38N20DTRLP
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ - Модули, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - РФ and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRFS38N20DTRLP electronic components. IRFS38N20DTRLP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFS38N20DTRLP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFS38N20DTRLP Атрибуты продукта

номер части : IRFS38N20DTRLP
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 200V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 43A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 54 mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 91nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2900pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D2PAK
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в