IXYS - IXFN210N30P3

KEY Part #: K6397783

IXFN210N30P3 Цены (доллары США) [2709шт сток]

  • 1 pcs$17.58223
  • 10 pcs$16.26368
  • 100 pcs$13.88997

номер части:
IXFN210N30P3
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 300V 192A SOT-227.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Модули питания драйверов, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF and Диоды - Выпрямители - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFN210N30P3 electronic components. IXFN210N30P3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN210N30P3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN210N30P3 Атрибуты продукта

номер части : IXFN210N30P3
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 300V 192A SOT-227
Серии : HiPerFET™, Polar3™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 300V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 192A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.5 mOhm @ 105A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 268nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 16200pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1500W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Комплект поставки устройства : SOT-227B
Пакет / Дело : SOT-227-4, miniBLOC

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.

  • TK10A80E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V TO220SIS.