Toshiba Semiconductor and Storage - TK100A06N1,S4X

KEY Part #: K6397722

TK100A06N1,S4X Цены (доллары США) [34131шт сток]

  • 1 pcs$1.32651
  • 50 pcs$1.01640
  • 100 pcs$0.91476
  • 500 pcs$0.71148
  • 1,000 pcs$0.58951

номер части:
TK100A06N1,S4X
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - РФ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - Выпрямители - Массивы and Тиристоры - DIAC, SIDAC ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK100A06N1,S4X electronic components. TK100A06N1,S4X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK100A06N1,S4X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK100A06N1,S4X Атрибуты продукта

номер части : TK100A06N1,S4X
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET N-CH 60V 100A TO-220
Серии : U-MOSVIII-H
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 100A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 140nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 10500pF @ 30V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 45W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220SIS
Пакет / Дело : TO-220-3 Full Pack

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK58A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 58A TO-220.

  • TK34A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 34A TO-220.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.