Infineon Technologies - IPD75N04S406ATMA1

KEY Part #: K6420674

IPD75N04S406ATMA1 Цены (доллары США) [229510шт сток]

  • 1 pcs$0.16116
  • 2,500 pcs$0.15310

номер части:
IPD75N04S406ATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3-313.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - стабилитроны - массивы, Тиристоры - СКВ, Диоды - РФ, Диоды - стабилитроны - одинарные and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPD75N04S406ATMA1 electronic components. IPD75N04S406ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD75N04S406ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD75N04S406ATMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPD75N04S406ATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3-313
Серии : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 40V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 75A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.9 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 26µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 32nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2550pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 58W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-TO252-3-313
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в