Vishay Siliconix - IRF9Z10PBF

KEY Part #: K6402457

IRF9Z10PBF Цены (доллары США) [50279шт сток]

  • 1 pcs$0.75676
  • 10 pcs$0.66854
  • 100 pcs$0.52848
  • 500 pcs$0.40983
  • 1,000 pcs$0.30606

номер части:
IRF9Z10PBF
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - РФ, Транзисторы - Программируемый однопереход and Тиристоры - DIAC, SIDAC ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix IRF9Z10PBF electronic components. IRF9Z10PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF9Z10PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF9Z10PBF Атрибуты продукта

номер части : IRF9Z10PBF
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 6.7A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 270pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 43W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220AB
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в