Toshiba Semiconductor and Storage - TK60P03M1,RQ(S

KEY Part #: K6420584

TK60P03M1,RQ(S Цены (доллары США) [214793шт сток]

  • 1 pcs$0.19037
  • 2,000 pcs$0.18942

номер части:
TK60P03M1,RQ(S
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET N-CH 30V 60A DPAK-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Модули питания драйверов, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва and Диоды - мостовые выпрямители ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK60P03M1,RQ(S electronic components. TK60P03M1,RQ(S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK60P03M1,RQ(S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK60P03M1,RQ(S Атрибуты продукта

номер части : TK60P03M1,RQ(S
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET N-CH 30V 60A DPAK-3
Серии : U-MOSVI-H
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 60A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2700pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 63W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : DPAK
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в