Vishay Semiconductor Diodes Division - BYM12-100-E3/96

KEY Part #: K6449075

BYM12-100-E3/96 Цены (доллары США) [726662шт сток]

  • 1 pcs$0.05090
  • 3,000 pcs$0.04454

номер части:
BYM12-100-E3/96
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB. Rectifiers 100 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - Программируемый однопереход, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYM12-100-E3/96 electronic components. BYM12-100-E3/96 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYM12-100-E3/96, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYM12-100-E3/96 Атрибуты продукта

номер части : BYM12-100-E3/96
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Серии : SUPERECTIFIER®
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 100V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1V @ 1A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 50ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 5µA @ 100V
Емкость @ Vr, F : 20pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : DO-213AB, MELF (Glass)
Комплект поставки устройства : DO-213AB
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • DA3X101K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE GEN PURP 80V 100MA MINI3.

  • 1SS196(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 80V Switching Diode S-Mini High

  • DB3X209K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 20V 500MA MINI3.

  • CDBFN140-HF

    Comchip Technology

    DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323.

  • CMDD2004 TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage Diode 250Vr 300Vrrm 250mW

  • CMDD6263 TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE SCHOTTKY 70V 15MA SOD323.