Vishay Siliconix - SISH410DN-T1-GE3

KEY Part #: K6411834

SISH410DN-T1-GE3 Цены (доллары США) [183360шт сток]

  • 1 pcs$0.20172

номер части:
SISH410DN-T1-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - IGBT - Модули and Тиристоры - СКВ - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SISH410DN-T1-GE3 electronic components. SISH410DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SISH410DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SISH410DN-T1-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SISH410DN-T1-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 20V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 22A (Ta), 35A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 41nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1600pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PowerPAK® 1212-8SH
Пакет / Дело : PowerPAK® 1212-8SH

Вы также можете быть заинтересованы в
  • DMN3026LVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26.

  • ZVN2106A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3.

  • IRLR2705TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 28A DPAK.

  • IRFR7546TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 71A DPAK.

  • IRFR4615TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 33A DPAK.

  • IRLR8113TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.