Vishay Semiconductor Diodes Division - BYX10GP-E3/54

KEY Part #: K6458325

BYX10GP-E3/54 Цены (доллары США) [1076814шт сток]

  • 1 pcs$0.03435
  • 11,000 pcs$0.02897

номер части:
BYX10GP-E3/54
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 1.6KV 360MA DO204. Rectifiers 2.0 Amp 1600 Volt
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные and Тиристоры - ТРИАКС ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYX10GP-E3/54 electronic components. BYX10GP-E3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYX10GP-E3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYX10GP-E3/54 Атрибуты продукта

номер части : BYX10GP-E3/54
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 1.6KV 360MA DO204
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 1600V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 360mA
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.6V @ 2A
скорость : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 2µs
Ток - обратная утечка @ Vr : 1µA @ 1600V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : DO-204AL, DO-41, Axial
Комплект поставки устройства : DO-204AL (DO-41)
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • 1SS250(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High

  • BAS70-00-HE3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 70V 200MA SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 70 Volt 200mA Single AUTO

  • BAS70-00-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 70V 200MA SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 70 Volt 200mA Single

  • SE20AFB-M3/6A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 Volts ESD PROTECTION

  • SE20AFD-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 200 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFB-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in