Infineon Technologies - FS150R17N3E4B11BOSA1

KEY Part #: K6534110

FS150R17N3E4B11BOSA1 Цены (доллары США) [472шт сток]

  • 1 pcs$98.10253

номер части:
FS150R17N3E4B11BOSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
IGBT MODULE VCES 650V 150A.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар and Модули питания драйверов ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies FS150R17N3E4B11BOSA1 electronic components. FS150R17N3E4B11BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FS150R17N3E4B11BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FS150R17N3E4B11BOSA1 Атрибуты продукта

номер части : FS150R17N3E4B11BOSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : IGBT MODULE VCES 650V 150A
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
конфигурация : Three Phase Inverter
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1700V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 150A
Мощность - Макс : 835W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.3V @ 15V, 150A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 13.5nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : Yes
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Module
Комплект поставки устройства : Module

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-GB90DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 149A 862W SOT-227.

  • APTGF350DA60G

    Microsemi Corporation

    IGBT 600V 430A 1562W SP6.

  • APTGT100A120D1G

    Microsemi Corporation

    IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1.

  • APTGF90DU60TG

    Microsemi Corporation

    IGBT MODULE NPT DUAL SOURCE SP4.

  • APTGF90A60T1G

    Microsemi Corporation

    POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP1.

  • APTGF75H120TG

    Microsemi Corporation

    POWER MODULE IGBT 1200V 75A SP4.