Microsemi Corporation - APT75GN120JDQ3

KEY Part #: K6533659

APT75GN120JDQ3 Цены (доллары США) [2820шт сток]

  • 1 pcs$15.35839
  • 10 pcs$14.20663
  • 25 pcs$13.05468
  • 100 pcs$12.13313
  • 250 pcs$11.13484

номер части:
APT75GN120JDQ3
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
IGBT 1200V 124A 379W SOT227.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы специального назначения, Тиристоры - ТРИАКС and Транзисторы - JFETs ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APT75GN120JDQ3 electronic components. APT75GN120JDQ3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT75GN120JDQ3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT75GN120JDQ3 Атрибуты продукта

номер части : APT75GN120JDQ3
производитель : Microsemi Corporation
Описание : IGBT 1200V 124A 379W SOT227
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
конфигурация : Single
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 124A
Мощность - Макс : 379W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 75A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 200µA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 4.8nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : No
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : ISOTOP
Комплект поставки устройства : ISOTOP®

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-GT175DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

  • VS-CPV363M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-GT100NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 184A 577W SOT-227.

  • VS-GT100DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.