Micro Commercial Co - 1N4006-N-2-3-AP

KEY Part #: K6441512

[3450шт сток]


    номер части:
    1N4006-N-2-3-AP
    производитель:
    Micro Commercial Co
    Подробное описание:
    DIODE GEN PURP 800V 1A DO-41.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - СКВ - Модули and Диоды - РФ ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Micro Commercial Co 1N4006-N-2-3-AP electronic components. 1N4006-N-2-3-AP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4006-N-2-3-AP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    1N4006-N-2-3-AP Атрибуты продукта

    номер части : 1N4006-N-2-3-AP
    производитель : Micro Commercial Co
    Описание : DIODE GEN PURP 800V 1A DO-41
    Серии : -
    Состояние детали : Obsolete
    Диодный Тип : Standard
    Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 800V
    Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 1A (DC)
    Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1V @ 1A
    скорость : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Обратное время восстановления (trr) : -
    Ток - обратная утечка @ Vr : 5µA @ 800V
    Емкость @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
    Тип монтажа : Through Hole
    Пакет / Дело : DO-204AL, DO-41, Axial
    Комплект поставки устройства : DO-41
    Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • CDBDSC8650-G

      Comchip Technology

      DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 8A 650V

    • CDBDSC10650-G

      Comchip Technology

      DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 650V

    • VS-8EWS10STRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

    • VS-8EWS10STRRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

    • MB2045C-61HE3J/81

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 20A 45V TO263AB.

    • MBRB750HE3_A/I

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 50V 7.5A TO263AB.