ON Semiconductor - NSVBA114EDXV6T1G

KEY Part #: K6528805

NSVBA114EDXV6T1G Цены (доллары США) [838681шт сток]

  • 1 pcs$0.04410
  • 8,000 pcs$0.04165

номер части:
NSVBA114EDXV6T1G
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor NSVBA114EDXV6T1G electronic components. NSVBA114EDXV6T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSVBA114EDXV6T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NSVBA114EDXV6T1G Атрибуты продукта

номер части : NSVBA114EDXV6T1G
производитель : ON Semiconductor
Описание : TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип Транзистора : 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 100mA
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 50V
Резистор - База (R1) : 10 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2) : 10 kOhms
Усиление постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce : 35 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic : 250mV @ 300µA, 10mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 500nA
Частота - Переход : -
Мощность - Макс : 500mW
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : SOT-563, SOT-666
Комплект поставки устройства : SOT-563-6

Вы также можете быть заинтересованы в