Infineon Technologies - IPB90R340C3ATMA1

KEY Part #: K6417525

IPB90R340C3ATMA1 Цены (доллары США) [33804шт сток]

  • 1 pcs$1.21918
  • 1,000 pcs$1.03271

номер части:
IPB90R340C3ATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 900V 15A TO-263.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - Программируемый однопереход, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - Выпрямители - Одиночные and Транзисторы - IGBTs - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPB90R340C3ATMA1 electronic components. IPB90R340C3ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB90R340C3ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB90R340C3ATMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPB90R340C3ATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 900V 15A TO-263
Серии : CoolMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 900V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 15A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 340 mOhm @ 9.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 94nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2400pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 208W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D²PAK (TO-263AB)
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в