Infineon Technologies - BSM75GAL120DN2HOSA1

KEY Part #: K6534542

BSM75GAL120DN2HOSA1 Цены (доллары США) [1189шт сток]

  • 1 pcs$36.38434

номер части:
BSM75GAL120DN2HOSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
IGBT 2 MED POWER 34MM-1.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - JFETs, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - РФ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies BSM75GAL120DN2HOSA1 electronic components. BSM75GAL120DN2HOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSM75GAL120DN2HOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM75GAL120DN2HOSA1 Атрибуты продукта

номер части : BSM75GAL120DN2HOSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : IGBT 2 MED POWER 34MM-1
Серии : -
Состояние детали : Not For New Designs
Тип IGBT : -
конфигурация : Single Switch
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 105A
Мощность - Макс : 625W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 3V @ 15V, 75A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 1.4mA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 5.5nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : No
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Module
Комплект поставки устройства : Module