Vishay Siliconix - SI4840BDY-T1-E3

KEY Part #: K6418352

SI4840BDY-T1-E3 Цены (доллары США) [122476шт сток]

  • 1 pcs$0.30200
  • 2,500 pcs$0.25520

номер части:
SI4840BDY-T1-E3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 40V 19A 8SOIC.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Тиристоры - СКВ, Тиристоры - ТРИАКС and Диоды - Выпрямители - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SI4840BDY-T1-E3 electronic components. SI4840BDY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4840BDY-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4840BDY-T1-E3 Атрибуты продукта

номер части : SI4840BDY-T1-E3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 40V 19A 8SOIC
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 40V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 19A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 12.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 50nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2000pF @ 20V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 8-SO
Пакет / Дело : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TK5A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 5.2A TO-220SIS.

  • SPA07N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-FP.

  • TK7A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS.

  • IPA65R310CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.

  • TK40E10K3,S1X(S

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 40A TO-220AB.