Renesas Electronics America - RJU6053SDPE-00#J3

KEY Part #: K6442352

[3163шт сток]


    номер части:
    RJU6053SDPE-00#J3
    производитель:
    Renesas Electronics America
    Подробное описание:
    DIODE GEN PURP 600V 20A LDPAK. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/20A/25ns Trr/LDPAK(S)-(1)
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Модули питания драйверов and Транзисторы - Программируемый однопереход ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Renesas Electronics America RJU6053SDPE-00#J3 electronic components. RJU6053SDPE-00#J3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RJU6053SDPE-00#J3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RJU6053SDPE-00#J3 Атрибуты продукта

    номер части : RJU6053SDPE-00#J3
    производитель : Renesas Electronics America
    Описание : DIODE GEN PURP 600V 20A LDPAK
    Серии : -
    Состояние детали : Last Time Buy
    Диодный Тип : Standard
    Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 600V
    Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 20A
    Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 3V @ 20A
    скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Обратное время восстановления (trr) : 25ns
    Ток - обратная утечка @ Vr : 1µA @ 600V
    Емкость @ Vr, F : -
    Тип монтажа : Surface Mount
    Пакет / Дело : SC-83
    Комплект поставки устройства : 4-LDPAK
    Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • RJU6052SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 600V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/10A/25ns Trr/TO-252

    • RJU4352SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 430V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/23ns Trr/TO-252

    • RJU3052SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 360V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 360V/20A/40ns Trr/TO-252

    • UD0506T-TL-H

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF

    • RD0306T-TL-H

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 3A TPFA.

    • CMDD6001 BK

      Central Semiconductor Corp

      DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA