Diodes Incorporated - DMT2004UFV-13

KEY Part #: K6394320

DMT2004UFV-13 Цены (доллары США) [366090шт сток]

  • 1 pcs$0.10103

номер части:
DMT2004UFV-13
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET BVDSS 8V-24V POWERDI3333.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Транзисторы - Программируемый однопереход, Модули питания драйверов, Транзисторы - JFETs, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные and Тиристоры - DIAC, SIDAC ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated DMT2004UFV-13 electronic components. DMT2004UFV-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMT2004UFV-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT2004UFV-13 Атрибуты продукта

номер части : DMT2004UFV-13
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET BVDSS 8V-24V POWERDI3333
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 24V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 70A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.45V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 53.7nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±12V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1683pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1.2W (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PowerDI3333-8
Пакет / Дело : 8-PowerVDFN

Вы также можете быть заинтересованы в
  • ZVN4424ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 0.26A TO92-3.

  • ZVN4210ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3.

  • ZVN0545ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 450V 0.09A TO92-3.

  • FDD86569-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 90A DPAK.

  • IRLIZ44G

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP.

  • IRFI830G

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220FP.