Vishay Siliconix - SI8429DB-T1-E1

KEY Part #: K6416598

SI8429DB-T1-E1 Цены (доллары США) [202426шт сток]

  • 1 pcs$0.18363
  • 3,000 pcs$0.18272

номер части:
SI8429DB-T1-E1
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы специального назначения, Диоды - РФ and Диоды - Выпрямители - Одиночные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SI8429DB-T1-E1 electronic components. SI8429DB-T1-E1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI8429DB-T1-E1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI8429DB-T1-E1 Атрибуты продукта

номер части : SI8429DB-T1-E1
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 8V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 11.7A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 26nC @ 5V
Vgs (Макс) : ±5V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1640pF @ 4V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.77W (Ta), 6.25W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 4-Microfoot
Пакет / Дело : 4-XFBGA, CSPBGA

Вы также можете быть заинтересованы в
  • SQ3426EV-T1_GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP.

  • BS270

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92.

  • ZVP3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V 160MA TO92-3.

  • ZVN4206A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3.

  • ZVN2110A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • BS170-D75Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.