STMicroelectronics - STW28N65M2

KEY Part #: K6398717

STW28N65M2 Цены (доллары США) [27344шт сток]

  • 1 pcs$1.41905
  • 10 pcs$1.26789
  • 100 pcs$0.98617
  • 500 pcs$0.79857
  • 1,000 pcs$0.67349

номер части:
STW28N65M2
производитель:
STMicroelectronics
Подробное описание:
MOSFET N-CH 650V 20A TO247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - JFETs and Диоды - Выпрямители - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in STMicroelectronics STW28N65M2 electronic components. STW28N65M2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STW28N65M2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STW28N65M2 Атрибуты продукта

номер части : STW28N65M2
производитель : STMicroelectronics
Описание : MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Серии : MDmesh™ M2
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 20A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±25V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1440pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 170W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TP2640N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 400V 0.18A TO92-3.

  • VP0104N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 40V 0.25A TO92-3.

  • VP3203N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3.

  • ZDX080N50

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 8A TO220FM.

  • R5011FNX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FM.

  • IPA80R280P7XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V 17A TO220.