Toshiba Semiconductor and Storage - TK16A60W,S4X

KEY Part #: K6417722

TK16A60W,S4X Цены (доллары США) [39294шт сток]

  • 1 pcs$1.04506
  • 2,500 pcs$1.03986

номер части:
TK16A60W,S4X
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET N CH 600V 15.8ADTMOSIV.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - Программируемый однопереход, Модули питания драйверов and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK16A60W,S4X electronic components. TK16A60W,S4X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK16A60W,S4X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK16A60W,S4X Атрибуты продукта

номер части : TK16A60W,S4X
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET N CH 600V 15.8ADTMOSIV
Серии : DTMOSIV
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 15.8A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 790µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1350pF @ 300V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 40W (Tc)
Рабочая Температура : -
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220
Пакет / Дело : TO-220-3 Full Pack

Вы также можете быть заинтересованы в