ON Semiconductor - FQD12N20LTM-F085

KEY Part #: K6419227

FQD12N20LTM-F085 Цены (доллары США) [97988шт сток]

  • 1 pcs$0.39904

номер части:
FQD12N20LTM-F085
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - JFETs, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы специального назначения, Модули питания драйверов, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - РФ and Диоды - мостовые выпрямители ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FQD12N20LTM-F085 electronic components. FQD12N20LTM-F085 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQD12N20LTM-F085, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQD12N20LTM-F085 Атрибуты продукта

номер части : FQD12N20LTM-F085
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Серии : Automotive, AEC-Q101, QFET®
Состояние детали : Not For New Designs
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 200V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 9A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 280 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 21nC @ 5V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1080pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D-Pak
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в