Infineon Technologies - IPS70R600P7SAKMA1

KEY Part #: K6401425

IPS70R600P7SAKMA1 Цены (доллары США) [98442шт сток]

  • 1 pcs$0.40556
  • 10 pcs$0.33499
  • 100 pcs$0.25830
  • 500 pcs$0.19133
  • 1,000 pcs$0.15307

номер части:
IPS70R600P7SAKMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - JFETs, Диоды - РФ, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы and Тиристоры - СКВ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPS70R600P7SAKMA1 electronic components. IPS70R600P7SAKMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPS70R600P7SAKMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPS70R600P7SAKMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPS70R600P7SAKMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251
Серии : CoolMOS™ P7
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 700V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 8.5A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 10.5nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±16V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 364pF @ 400V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 43W (Tc)
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : PG-TO251-3
Пакет / Дело : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Вы также можете быть заинтересованы в