Diodes Incorporated - DMG3414U-7

KEY Part #: K6418453

DMG3414U-7 Цены (доллары США) [490925шт сток]

  • 1 pcs$0.07534
  • 3,000 pcs$0.06743

номер части:
DMG3414U-7
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - Выпрямители - Массивы and Тиристоры - ТРИАКС ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated DMG3414U-7 electronic components. DMG3414U-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMG3414U-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG3414U-7 Атрибуты продукта

номер части : DMG3414U-7
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 20V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 4.2A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 9.6nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±8V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 829.9pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 780mW (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SOT-23-3
Пакет / Дело : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • IXTY01N80

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA.

  • IRFR1018ETRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 56A DPAK.

  • IPA65R310CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.

  • TK8A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS.