IXYS - IXTQ96N25T

KEY Part #: K6416990

IXTQ96N25T Цены (доллары США) [22589шт сток]

  • 1 pcs$2.10866
  • 30 pcs$2.09817

номер части:
IXTQ96N25T
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 250V 96A TO-3P.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы специального назначения, Диоды - РФ and Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXTQ96N25T electronic components. IXTQ96N25T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTQ96N25T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTQ96N25T Атрибуты продукта

номер части : IXTQ96N25T
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 250V 96A TO-3P
Серии : TrenchHV™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 250V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 96A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 29 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 114nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 6100pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 625W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-3P
Пакет / Дело : TO-3P-3, SC-65-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • FDD8870

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.