производитель :
Taiwan Semiconductor Corporation
Описание :
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
Состояние детали :
Active
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
200V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
950mV @ 1A
скорость :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
35ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
5µA @ 200V
Емкость @ Vr, F :
10pF @ 1V, 1MHz
Тип монтажа :
Surface Mount
Комплект поставки устройства :
Sub SMA
Рабочая температура - соединение :
-55°C ~ 150°C