Vishay Semiconductor Diodes Division - BYG23MHM3_A/H

KEY Part #: K6439797

BYG23MHM3_A/H Цены (доллары США) [591495шт сток]

  • 1 pcs$0.06253
  • 10,800 pcs$0.05438

номер части:
BYG23MHM3_A/H
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC. Rectifiers 1.5A,1000V,75nS AVAL AEC-Q101 Qualified
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - IGBT - Модули, Модули питания драйверов, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Тиристоры - СКВ - Модули and Диоды - Выпрямители - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYG23MHM3_A/H electronic components. BYG23MHM3_A/H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYG23MHM3_A/H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYG23MHM3_A/H Атрибуты продукта

номер части : BYG23MHM3_A/H
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Серии : Automotive, AEC-Q101
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Avalanche
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 1000V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 1.5A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.7V @ 1A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 75ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 5µA @ 1000V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : DO-214AC, SMA
Комплект поставки устройства : DO-214AC (SMA)
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • BAV20W-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM

  • 1N4148W-HE3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns

  • SD103AW-HE3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 350MA 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 40Volt 15A IFSM AUTO

  • SD101AW-G3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 400MW 60V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 60Volt 2A IFSM

  • SD103BW-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 350MA 30V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 30Volt 15A IFSM

  • SD101BW-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 400MW 50V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 50Volt 2A IFSM