IDP30E120XKSA1 Цены (доллары США) [32584шт сток]
- 1 pcs$0.87801
- 10 pcs$0.78854
- 100 pcs$0.63380
- 500 pcs$0.52073
- 1,000 pcs$0.43146
- номер части:
- IDP30E120XKSA1
- производитель:
- Infineon Technologies
- Подробное описание:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO220-2.
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Тиристоры - СКВ - Модули, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - РФ and Транзисторы - JFETs ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Infineon Technologies IDP30E120XKSA1 electronic components. IDP30E120XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDP30E120XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IDP30E120XKSA1 Атрибуты продукта
номер части :
IDP30E120XKSA1
производитель :
Infineon Technologies
Описание :
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO220-2
Серии :
-
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
1200V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
50A (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
2.15V @ 30A
скорость :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
243ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
100µA @ 1200V
Емкость @ Vr, F :
-
Тип монтажа :
Through Hole
Пакет / Дело :
TO-220-2
Комплект поставки устройства :
PG-TO220-2-2
Рабочая температура - соединение :
-55°C ~ 150°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
VS-HFA04SD60S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 4A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4A 600V Ultrafast 17ns HEXFRED
-
VS-E4PH6006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD. Rectifiers 600V 60A FRED Pt TO-247 LL 2L
-
VS-EPH3006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 30A FRED Pt TO-247 LL 2L
-
VS-E4PU6006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD. Rectifiers 600V 60A FRED Pt TO-247 LL 2L
-
SFA808G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC. Rectifiers 35ns8A 600V Sp Fst Recov Rectifier
-
STTH3010PI
STMicroelectronics
DIODE GEN PURP 1KV 30A DOP3I. Diodes - General Purpose, Power, Switching high voltage diode
Горячие части
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18