Keystone Electronics - 611

KEY Part #: K7359571

611 Цены (доллары США) [267202шт сток]

  • 1 pcs$0.13051
  • 10 pcs$0.12458
  • 50 pcs$0.09073
  • 100 pcs$0.08717
  • 250 pcs$0.07826
  • 500 pcs$0.07471
  • 1,000 pcs$0.06379
  • 2,500 pcs$0.05692
  • 5,000 pcs$0.05336

номер части:
611
производитель:
Keystone Electronics
Подробное описание:
BRACKET RT ANG MOUNT 8-32 BRASS. Mounting Hardware THRD BRKT BRS T PL
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Структурное, аппаратное обеспечение движения, Шарниры, Зажимы, вешалки, крючки, Бамперы, ноги, колодки, ручки, Подшипники, Канал DIN-рейки, Поддержка платы and Бортовые распорки, стойки ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Keystone Electronics 611 electronic components. 611 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 611, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

611 Атрибуты продукта

номер части : 611
производитель : Keystone Electronics
Описание : BRACKET RT ANG MOUNT 8-32 BRASS
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип : Bracket, Threaded Hole(s)
форма : Short L
Размер резьбы / винта / отверстия : 0.135" (3.43mm), 8-32
материал : Brass, Tin Plated

Вы также можете быть заинтересованы в
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.