Vishay Siliconix - SISS12DN-T1-GE3

KEY Part #: K6420191

SISS12DN-T1-GE3 Цены (доллары США) [168962шт сток]

  • 1 pcs$0.21891

номер части:
SISS12DN-T1-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CHAN 40V POWERPAK 1212-.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы специального назначения, Диоды - РФ and Транзисторы - JFETs ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SISS12DN-T1-GE3 electronic components. SISS12DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SISS12DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SISS12DN-T1-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SISS12DN-T1-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CHAN 40V POWERPAK 1212-
Серии : TrenchFET® Gen IV
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 40V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 37.5A (Ta), 60A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.98 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 89nC @ 10V
Vgs (Макс) : +20V, -16V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 4270pF @ 20V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PowerPAK® 1212-8S
Пакет / Дело : PowerPAK® 1212-8S

Вы также можете быть заинтересованы в