STMicroelectronics - STGWA40S120DF3

KEY Part #: K6421746

STGWA40S120DF3 Цены (доллары США) [7716шт сток]

  • 1 pcs$5.34128
  • 10 pcs$4.82522
  • 100 pcs$3.99481
  • 500 pcs$3.47861

номер части:
STGWA40S120DF3
производитель:
STMicroelectronics
Подробное описание:
IGBT 1200V 40A TO247-3L.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - Программируемый однопереход and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in STMicroelectronics STGWA40S120DF3 electronic components. STGWA40S120DF3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STGWA40S120DF3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STGWA40S120DF3 Атрибуты продукта

номер части : STGWA40S120DF3
производитель : STMicroelectronics
Описание : IGBT 1200V 40A TO247-3L
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 80A
Ток - Коллектор Импульсный (Icm) : 160A
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 40A
Мощность - Макс : 468W
Энергия переключения : 1.43mJ (on), 3.83mJ (off)
Тип ввода : Standard
Gate Charge : 129nC
Td (вкл / выкл) при 25 ° C : 35ns/148ns
Условия испытаний : 600V, 40A, 15 Ohm, 15V
Обратное время восстановления (trr) : 355ns
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-247-3
Комплект поставки устройства : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • FGD3N60LSDTM

    ON Semiconductor

    IGBT 600V 6A 40W DPAK.

  • FDV301N

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23.

  • SSM3J325F,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI.

  • BSS138

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23.

  • BSS123NH6433XTMA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23.

  • BSS7728NH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23.