ON Semiconductor - FCPF2250N80Z

KEY Part #: K6399746

FCPF2250N80Z Цены (доллары США) [105135шт сток]

  • 1 pcs$0.37191
  • 1,000 pcs$0.34695

номер части:
FCPF2250N80Z
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 800V 2.6A TO220-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - стабилитроны - массивы and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FCPF2250N80Z electronic components. FCPF2250N80Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCPF2250N80Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCPF2250N80Z Атрибуты продукта

номер части : FCPF2250N80Z
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 800V 2.6A TO220-3
Серии : SuperFET® II
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 800V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 2.6A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.25 Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 260µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 14nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 585pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 21.9W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220F
Пакет / Дело : TO-220-3 Full Pack

Вы также можете быть заинтересованы в