BAS16,235 Цены (доллары США) [4776375шт сток]
- 1 pcs$0.00774
- 10,000 pcs$0.00723
- 30,000 pcs$0.00650
- 50,000 pcs$0.00578
- 100,000 pcs$0.00542
- 250,000 pcs$0.00482
- номер части:
- BAS16,235
- производитель:
- Nexperia USA Inc.
- Подробное описание:
- DIODE GEN PURP 100V 215MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODE SW TAPE-11
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - РФ, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы and Тиристоры - ТРИАКС ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Nexperia USA Inc. BAS16,235 electronic components. BAS16,235 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS16,235, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS16,235 Атрибуты продукта
номер части :
BAS16,235
производитель :
Nexperia USA Inc.
Описание :
DIODE GEN PURP 100V 215MA SOT23
Серии :
Automotive, AEC-Q101, BAS16
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
100V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
215mA (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1.25V @ 150mA
скорость :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
4ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
500nA @ 80V
Емкость @ Vr, F :
1.5pF @ 0V, 1MHz
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Комплект поставки устройства :
TO-236AB
Рабочая температура - соединение :
150°C (Max)
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
-
BAL99E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Горячие части
- SS22SHE3_A/I
- 1N4001-N-2-3-AP
- 1N6910UTK2AS
- IRD3CH101DD6
- MBRH20020RL
- JANTXV1N3595AUR-1
- 1N5805
- UFR3020PF
- S3740
- CD214B-F2100
- 1N3910
- CDBM230-HF
- MBRB1650-E3/45
- US1AHE3/5AT
- S1PDHE3/85A
- S1AHE3/5AT
- CDBP0130R-G
- MPG06BHE3/54
- EGP30GHE3/54
- GPP60AHE3/73
- R9G21412CSOO
- V12P10HE3/86A
- 1N4936RL
- B240A-13
- RS1KB-13
- SD253N04S15PV
- VS-80SQ035
- S1M-26R2G
- SF13M-TP
- JANTX1N5711-1/TR
- 1N647UR-1
- DNA30E2200PC-TUB
- STPSC606D
- BYWB29-200-E3/81
- ES3A-E3/57T
- STTH2L06UFY
- EGL34GHE3_A/I
- RSX201VA-30TR
- RF05VA1STR
- BAS40-00-G3-08