Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-30EPF12-M3

KEY Part #: K6441870

VS-30EPF12-M3 Цены (доллары США) [12145шт сток]

  • 1 pcs$3.56526
  • 10 pcs$3.22064
  • 25 pcs$3.07097
  • 100 pcs$2.66646
  • 250 pcs$2.54663
  • 500 pcs$2.32192
  • 1,000 pcs$2.02232

номер части:
VS-30EPF12-M3
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247AC. Rectifiers New Input Diodes - TO-247-e3
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Тиристоры - СКВ, Транзисторы - JFETs, Транзисторы специального назначения, Диоды - Выпрямители - Массивы, Тиристоры - СКВ - Модули and Тиристоры - DIAC, SIDAC ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-30EPF12-M3 electronic components. VS-30EPF12-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-30EPF12-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-30EPF12-M3 Атрибуты продукта

номер части : VS-30EPF12-M3
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247AC
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 1200V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 30A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.41V @ 30A
скорость : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : -
Ток - обратная утечка @ Vr : 100µA @ 1200V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-247-2
Комплект поставки устройства : TO-247AC Modified
Рабочая температура - соединение : -40°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • CDBDSC3650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 3A 650V

  • CDBDSC51200-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 1200V

  • VS-30EPH06-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC. Rectifiers 30A 600V Hyperfast

  • VS-E4PU6006L-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD. Rectifiers 600V 60A FRED Pt TO-247 LL 2L

  • VS-60APU06PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC. Rectifiers 600 Volt 60 Amp

  • VS-60APH03-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 300V Hyperfast 28ns FRED Pt