Microsemi Corporation - APTGLQ40DDA120CT3G

KEY Part #: K6533662

APTGLQ40DDA120CT3G Цены (доллары США) [759шт сток]

  • 100 pcs$26.05766

номер части:
APTGLQ40DDA120CT3G
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
PWR MOD IGBT4 1200V 700A SP6.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - Выпрямители - Массивы, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Модули питания драйверов, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - СКВ - Модули and Транзисторы - IGBTs - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APTGLQ40DDA120CT3G electronic components. APTGLQ40DDA120CT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGLQ40DDA120CT3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGLQ40DDA120CT3G Атрибуты продукта

номер части : APTGLQ40DDA120CT3G
производитель : Microsemi Corporation
Описание : PWR MOD IGBT4 1200V 700A SP6
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
конфигурация : Dual Boost Chopper
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 75A
Мощность - Макс : 250W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.4V @ 15V, 40A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 100µA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 2.3nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : Yes
Рабочая Температура : -40°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : SP6
Комплект поставки устройства : SP6

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-GT175DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

  • VS-CPV363M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-GT100NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 184A 577W SOT-227.

  • VS-GT100DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.