Infineon Technologies - FD1000R17IE4DB2BOSA1

KEY Part #: K6533605

FD1000R17IE4DB2BOSA1 Цены (доллары США) [140шт сток]

  • 1 pcs$328.30365

номер части:
FD1000R17IE4DB2BOSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MODULE IGBT PRIME3-1.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - РФ, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Модули питания драйверов, Тиристоры - СКВ, Диоды - стабилитроны - одинарные and Транзисторы - IGBTs - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies FD1000R17IE4DB2BOSA1 electronic components. FD1000R17IE4DB2BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FD1000R17IE4DB2BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FD1000R17IE4DB2BOSA1 Атрибуты продукта

номер части : FD1000R17IE4DB2BOSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MODULE IGBT PRIME3-1
Серии : PrimePACK™3
Состояние детали : Active
Тип IGBT : -
конфигурация : Single
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1700V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 1390A
Мощность - Макс : 6250W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.45V @ 15V, 1000A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 81nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : Yes
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Module
Комплект поставки устройства : Module

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-GT175DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

  • VS-CPV363M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-GT100NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 184A 577W SOT-227.

  • VS-GT100DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.