VS-HFA06PB120-N3 Цены (доллары США) [15509шт сток]
- 1 pcs$2.56928
- 10 pcs$2.30574
- 25 pcs$2.17988
- 100 pcs$1.88924
- 250 pcs$1.79233
- 500 pcs$1.60826
- 1,000 pcs$1.35636
- номер части:
- VS-HFA06PB120-N3
- производитель:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Подробное описание:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 6A TO247AC.
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - DIAC, SIDAC, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы специального назначения ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-HFA06PB120-N3 electronic components. VS-HFA06PB120-N3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-HFA06PB120-N3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-HFA06PB120-N3 Атрибуты продукта
номер части :
VS-HFA06PB120-N3
производитель :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание :
DIODE GEN PURP 1.2KV 6A TO247AC
Серии :
HEXFRED®
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
1200V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
6A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
3V @ 6A
скорость :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
80ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
5µA @ 1200V
Емкость @ Vr, F :
-
Тип монтажа :
Through Hole
Пакет / Дело :
TO-247-2
Комплект поставки устройства :
TO-247AC Modified
Рабочая температура - соединение :
-55°C ~ 150°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
CDBDSC3650-G
Comchip Technology
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 3A 650V
-
CDBDSC51200-G
Comchip Technology
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 1200V
-
VS-30EPH06-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC. Rectifiers 30A 600V Hyperfast
-
VS-E4PU6006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD. Rectifiers 600V 60A FRED Pt TO-247 LL 2L
-
VS-60APU06PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC. Rectifiers 600 Volt 60 Amp
-
VS-60APH03-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 300V Hyperfast 28ns FRED Pt
Горячие части
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G