Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-E4PH3006LHN3

KEY Part #: K6441590

VS-E4PH3006LHN3 Цены (доллары США) [38171шт сток]

  • 1 pcs$1.07452
  • 10 pcs$0.96539
  • 25 pcs$0.91096
  • 100 pcs$0.77612
  • 250 pcs$0.72875
  • 500 pcs$0.63765
  • 1,000 pcs$0.52834
  • 2,500 pcs$0.49190

номер части:
VS-E4PH3006LHN3
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 30A FRED Pt TO-247 LL 2L
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Тиристоры - DIAC, SIDAC and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-E4PH3006LHN3 electronic components. VS-E4PH3006LHN3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-E4PH3006LHN3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-E4PH3006LHN3 Атрибуты продукта

номер части : VS-E4PH3006LHN3
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD
Серии : Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 600V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 30A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 2V @ 30A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 55ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 50µA @ 600V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-247-2
Комплект поставки устройства : TO-247AD
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • CDBDSC8650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 8A 650V

  • CDBDSC10650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 650V

  • CDBDSC5650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 650V

  • VS-8EWS10STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • VS-8EWS10STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • VS-CPU6006L-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 2x30A FRED Pt TO-247 LL 3L