IXYS - IXFQ60N25X3

KEY Part #: K6397774

IXFQ60N25X3 Цены (доллары США) [13474шт сток]

  • 1 pcs$3.36695
  • 10 pcs$3.00557
  • 100 pcs$2.46457
  • 500 pcs$1.99570
  • 1,000 pcs$1.68312

номер части:
IXFQ60N25X3
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CHANNEL 250V 60A TO3P.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Диоды - мостовые выпрямители, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы and Тиристоры - DIAC, SIDAC ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFQ60N25X3 electronic components. IXFQ60N25X3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFQ60N25X3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFQ60N25X3 Атрибуты продукта

номер части : IXFQ60N25X3
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CHANNEL 250V 60A TO3P
Серии : HiPerFET™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 250V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 60A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 50nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3610pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 320W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-3P
Пакет / Дело : TO-3P-3, SC-65-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.

  • TK10A80E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V TO220SIS.