Toshiba Semiconductor and Storage - TK10E60W,S1VX

KEY Part #: K6417515

TK10E60W,S1VX Цены (доллары США) [33399шт сток]

  • 1 pcs$1.35736
  • 50 pcs$1.03480
  • 100 pcs$0.94282
  • 500 pcs$0.76345
  • 1,000 pcs$0.64387

номер части:
TK10E60W,S1VX
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы специального назначения, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Тиристоры - СКВ, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK10E60W,S1VX electronic components. TK10E60W,S1VX can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK10E60W,S1VX, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK10E60W,S1VX Атрибуты продукта

номер части : TK10E60W,S1VX
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220
Серии : DTMOSIV
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 9.7A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 700pF @ 300V
Функция FET : Super Junction
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 100W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в