Vishay Siliconix - SI4103DY-T1-GE3

KEY Part #: K6403488

SI4103DY-T1-GE3 Цены (доллары США) [281791шт сток]

  • 1 pcs$0.13126

номер части:
SI4103DY-T1-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET P-CHAN 30V SO-8.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - стабилитроны - одинарные and Диоды - стабилитроны - массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SI4103DY-T1-GE3 electronic components. SI4103DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4103DY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4103DY-T1-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SI4103DY-T1-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET P-CHAN 30V SO-8
Серии : TrenchFET® Gen III
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 14A (Ta), 16A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 140nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 5200pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.5W (Ta), 5.2W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 8-SO
Пакет / Дело : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Вы также можете быть заинтересованы в
  • FQD20N06TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK.

  • FQD6N40CTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK.

  • FDD86580-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • FDD3682

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 32A D-PAK.

  • FDD8780

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 25V 35A TO-252AA.

  • FQD4N25TM-WS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 3A DPAK.