Nexperia USA Inc. - BUK7E4R6-60E,127

KEY Part #: K6392607

BUK7E4R6-60E,127 Цены (доллары США) [52836шт сток]

  • 1 pcs$0.71913
  • 10 pcs$0.63802
  • 100 pcs$0.50410
  • 500 pcs$0.39095
  • 1,000 pcs$0.29196

номер части:
BUK7E4R6-60E,127
производитель:
Nexperia USA Inc.
Подробное описание:
MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - РФ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - JFETs and Транзисторы специального назначения ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Nexperia USA Inc. BUK7E4R6-60E,127 electronic components. BUK7E4R6-60E,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BUK7E4R6-60E,127, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BUK7E4R6-60E,127 Атрибуты продукта

номер части : BUK7E4R6-60E,127
производитель : Nexperia USA Inc.
Описание : MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK
Серии : Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 100A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.6 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 82nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 6230pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 234W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : I2PAK
Пакет / Дело : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VN3205N3-G-P002

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3.

  • FDD8796

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 25V 35A DPAK.

  • FQD7N30TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK.

  • FQD5N20LTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK.

  • FDD3670

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK.

  • HUF76609D3ST

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 10A DPAK.