Infineon Technologies - IPD50R1K4CEBTMA1

KEY Part #: K6403872

IPD50R1K4CEBTMA1 Цены (доллары США) [2208шт сток]

  • 2,500 pcs$0.07627

номер части:
IPD50R1K4CEBTMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - мостовые выпрямители and Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPD50R1K4CEBTMA1 electronic components. IPD50R1K4CEBTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD50R1K4CEBTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD50R1K4CEBTMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPD50R1K4CEBTMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252
Серии : CoolMOS™ CE
Состояние детали : Obsolete
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 500V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 3.1A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 900mA, 13V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 70µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 1nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 178pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 25W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-TO252-3
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в
  • AUIRFR8405

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • AUIRFR8403

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • AUIRFR8401

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • 2SK3309(TE24L,Q)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM.

  • RJL5012DPP-M0#T2

    Renesas Electronics America

    MOSFET N-CH 500V 12A TO220.

  • SSM3K7002BF,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 0.2A S-MINI.