Toshiba Semiconductor and Storage - TK90S06N1L,LQ

KEY Part #: K6402093

TK90S06N1L,LQ Цены (доллары США) [102769шт сток]

  • 1 pcs$0.40559
  • 2,000 pcs$0.40357

номер части:
TK90S06N1L,LQ
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET N-CH 60V 90A DPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Одиночные, Тиристоры - СКВ, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK90S06N1L,LQ electronic components. TK90S06N1L,LQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK90S06N1L,LQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK90S06N1L,LQ Атрибуты продукта

номер части : TK90S06N1L,LQ
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Серии : U-MOSVIII-H
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 90A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.3 mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 81nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 5400pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 157W (Tc)
Рабочая Температура : 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-252-3
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в
  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • ZVP2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3.