Infineon Technologies - FS900R08A2P2B31BOSA1

KEY Part #: K6533249

FS900R08A2P2B31BOSA1 Цены (доллары США) [115шт сток]

  • 1 pcs$403.45128
  • 3 pcs$341.05766

номер части:
FS900R08A2P2B31BOSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOD HYBRID PACK2 DRIVE HYBRID2-1.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Тиристоры - СКВ - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies FS900R08A2P2B31BOSA1 electronic components. FS900R08A2P2B31BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FS900R08A2P2B31BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FS900R08A2P2B31BOSA1 Атрибуты продукта

номер части : FS900R08A2P2B31BOSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOD HYBRID PACK2 DRIVE HYBRID2-1
Серии : *
Состояние детали : Active
Тип IGBT : -
конфигурация : -
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : -
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : -
Мощность - Макс : -
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : -
Ток - отсечка коллектора (макс.) : -
Входная емкость (Cies) @ Vce : -
вход : -
NTC Термистор : -
Рабочая Температура : -
Тип монтажа : -
Пакет / Дело : -
Комплект поставки устройства : -

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-ETL015Y120H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 22A 89W EMIPAK-2B. Rectifiers 15A Dbl Interleaved Boost Converter

  • VS-ETF150Y65U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • VS-ETF075Y60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B.

  • APT40GL120JU2

    Microsemi Corporation

    MOD IGBT 1200V 65A SOT-227.

  • APT85GR120JD60

    Microsemi Corporation

    IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP.

  • APTGT600A60G

    Microsemi Corporation

    POWER MODULE IGBT 600V 600A SP6.