Infineon Technologies - IPI50R399CPXKSA2

KEY Part #: K6418804

IPI50R399CPXKSA2 Цены (доллары США) [78131шт сток]

  • 1 pcs$0.50045
  • 500 pcs$0.47341

номер части:
IPI50R399CPXKSA2
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 500V 9A TO-262.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва and Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPI50R399CPXKSA2 electronic components. IPI50R399CPXKSA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPI50R399CPXKSA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPI50R399CPXKSA2 Атрибуты продукта

номер части : IPI50R399CPXKSA2
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 500V 9A TO-262
Серии : CoolMOS™
Состояние детали : Not For New Designs
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 500V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 9A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 399 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 330µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 23nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 890pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 83W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : PG-TO262-3
Пакет / Дело : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Вы также можете быть заинтересованы в