Infineon Technologies - IPP12CN10LGXKSA1

KEY Part #: K6398503

IPP12CN10LGXKSA1 Цены (доллары США) [48206шт сток]

  • 1 pcs$0.77767
  • 10 pcs$0.70324
  • 100 pcs$0.56510
  • 500 pcs$0.43952
  • 1,000 pcs$0.34449

номер части:
IPP12CN10LGXKSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Модули питания драйверов, Транзисторы - Программируемый однопереход, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - Выпрямители - Массивы, Диоды - РФ and Транзисторы - JFETs ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPP12CN10LGXKSA1 electronic components. IPP12CN10LGXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP12CN10LGXKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP12CN10LGXKSA1 Атрибуты продукта

номер части : IPP12CN10LGXKSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 69A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 69A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 83µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 58nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 5600pF @ 50V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 125W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : PG-TO220-3
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VP0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 90V 0.25A TO92-3.

  • TN0610N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3.

  • VN0606L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3.

  • VP0808L-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 80V 0.28A TO92-3.

  • VN2460N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 600V 0.16A TO92-3.

  • TP2540N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 400V 0.086A TO92-3.