Nexperia USA Inc. - PSMN4R4-80BS,118

KEY Part #: K6418305

PSMN4R4-80BS,118 Цены (доллары США) [59079шт сток]

  • 1 pcs$0.66515
  • 800 pcs$0.66184

номер части:
PSMN4R4-80BS,118
производитель:
Nexperia USA Inc.
Подробное описание:
MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - РФ, Тиристоры - СКВ, Тиристоры - СКВ - Модули and Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Nexperia USA Inc. PSMN4R4-80BS,118 electronic components. PSMN4R4-80BS,118 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN4R4-80BS,118, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN4R4-80BS,118 Атрибуты продукта

номер части : PSMN4R4-80BS,118
производитель : Nexperia USA Inc.
Описание : MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 80V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 100A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 125nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 8400pF @ 40V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 306W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D2PAK
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в