ON Semiconductor - NSVIMD10AMT1G

KEY Part #: K6528826

NSVIMD10AMT1G Цены (доллары США) [868108шт сток]

  • 1 pcs$0.04261

номер части:
NSVIMD10AMT1G
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
SURF MT BIASED RES XSTR.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - РФ, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - СКВ - Модули, Тиристоры - DIAC, SIDAC and Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor NSVIMD10AMT1G electronic components. NSVIMD10AMT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSVIMD10AMT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NSVIMD10AMT1G Атрибуты продукта

номер части : NSVIMD10AMT1G
производитель : ON Semiconductor
Описание : SURF MT BIASED RES XSTR
Серии : Automotive, AEC-Q101
Состояние детали : Active
Тип Транзистора : 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 500mA
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 50V
Резистор - База (R1) : 13 kOhms, 130 Ohms
Резистор - база эмиттера (R2) : 10 kOhms
Усиление постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce : 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic : 300mV @ 1mA, 10mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 500nA
Частота - Переход : -
Мощность - Макс : 285mW
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Комплект поставки устройства : SC-74R

Вы также можете быть заинтересованы в