ON Semiconductor - FDS6681Z

KEY Part #: K6418733

FDS6681Z Цены (доллары США) [100615шт сток]

  • 1 pcs$0.38862
  • 2,500 pcs$0.37843

номер части:
FDS6681Z
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET P-CH 30V 20A 8-SO.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - Выпрямители - Массивы, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - IGBTs - Массивы and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FDS6681Z electronic components. FDS6681Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDS6681Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDS6681Z Атрибуты продукта

номер части : FDS6681Z
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET P-CH 30V 20A 8-SO
Серии : PowerTrench®
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 20A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 260nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±25V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 7540pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.5W (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 8-SOIC
Пакет / Дело : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Вы также можете быть заинтересованы в